삼성, 세계 첫 3나노 반도체 양산…'초격차' 시동

[앵커]

반도체는 그 위의 구현되는 회로 선폭이 좁을수록 기술 수준이 높은 것인데요.

삼성전자가 세계 최초로 회로 선폭이 3나노미터, 머리카락 굵기 10만분의 1 수준인 시스템 반도체 양산에 성공했습니다.

시스템 반도체 시장의 게임체인저가 될 것으로 보입니다.

김장현 기자입니다.

[기자]

'더 얇고 정교하게'

삼성전자가 3나노미터 공정 반도체 양산에 세계 최초로 성공했습니다.

시스템 반도체의 절대강자 대만 TSMC 추격의 발판을 마련한 겁니다.

회로선폭이 10억분의 3미터 수준임을 뜻하는 3나노 공정은 반도체 미세 공정에서도 가장 앞선 것으로, TSMC도 빨라야 반년 뒤에나 가능할 것으로 전망되는 기술입니다.

원형의 반도체 기판, 웨이퍼에 얼마나 많은 회로를 그릴 수 있는지가 승리의 관건인 반도체 시장에서 최대 경쟁사를 제친 겁니다.

이 반도체에 세계 최초로 적용된 차세대 게이트 올어라운드, GAA 기술은 기존 방식보다 트랜지스터의 게이트와 채널의 접촉면을 넓혀 전류 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있는 방식입니다.

이를 통해 생산된 반도체는 기존 5나노 핀펫 공정보다 전력은 45% 덜 쓰지만, 성능은 23% 높고, 면적은 16% 적습니다.

"GAA 기술은 전력효율과 성능향상을 지속적으로 이어가는데 필요한 핵심기술로 3나노 GAA 공정은 삼성 파운드리가 파운드리 시장 성장을 주도하는데 크게 기여할 것으로 기대합니다."

이번 3나노 반도체 양산은 메모리 반도체를 장악한 삼성이 시스템 반도체 시장에서도 판도를 바꾸는 기반이 될 것으로 전망됩니다.

"메모리는 물론 시스템 반도체 생산기지로서 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 대한민국 위상이 한층 높아질 것입니다."

다만, 3나노 공정 선점으로 만든 기회를 역전을 넘어 '초격차 확보' 계기로 삼으려면 수율, 즉 생산품 가운데 합격품 비율을 높이는 일이 최우선 과제입니다.

연합뉴스TV 김장현입니다.

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